十大熱門關(guān)注開關(guān)電源(I)

開關(guān)電源一直是電子工業(yè)中非常流行的技術(shù)，其發(fā)展趨勢是我們必須時刻關(guān)注的問題，否則將無法跟上技術(shù)發(fā)展的步伐。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過電路控制開關(guān)管進行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位，抗干擾電路出問題也會導(dǎo)致保險燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險燒一般會把電流檢測 電阻 和電源控制芯片燒壞。負溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險一起被燒壞。 筆者對開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展重點做了調(diào)查，以下十大熱點。

興趣點：將功率半導(dǎo)體器件的性能

　　1998年，Infineon公司可以推出冷mos管，它采用“超級結(jié)”（Super-Junction）結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作進行電壓600V～800V，通態(tài)電阻之間幾乎降低了企業(yè)一個數(shù)據(jù)數(shù)量級，仍保持控制開關(guān)具有速度快的特點，是一種有發(fā)展中國前途的高頻信號功率以及半導(dǎo)體行業(yè)電子技術(shù)器件。

當IGBT剛出現(xiàn)時，電壓，額定電流只有600V，25A。的很長一段時間，壓力水平被限制在1200V?1700V，經(jīng)過長期研究和提高勘探現(xiàn)在IGBT的電壓，額定電流達到了3300V / 1200A和4500V / 1800A，壓力已經(jīng)達到了一個單片高壓IGBT 6500V，工作頻率的上限通常為20kHz的IGBT?40kHz的，通過新的技術(shù)生產(chǎn)的應(yīng)用（PT）型IGBT結(jié)構(gòu)為主，它可以在150kHz的（硬切換）和300kHz的（軟切換）工作。

　　IGBT的技術(shù)研究進展情況實際上是通態(tài)壓降，快速進行開關(guān)和高耐壓問題能力分析三者的折中。隨著中國工藝和結(jié)構(gòu)設(shè)計形式的不同，IGBT在20年歷史文化發(fā)展社會進程中，有以下通過幾種主要類型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場數(shù)據(jù)截止（FS）型。

碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料。 其優(yōu)點是：帶隙寬，工作溫度高（可達600℃），熱穩(wěn)定性好，導(dǎo)通電阻小，導(dǎo)熱性能好，漏電流最小，PN結(jié)電壓電阻高。 有利于制備耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體電子元件。

預(yù)計碳化硅將成為21世紀最有可能成功應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件材料。

兩個問題：開關(guān)電源密度

　　提高工作開關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們通過不斷發(fā)展努力學(xué)習(xí)追求的目標。電源的高頻化是國際社會電力企業(yè)電子界研究的熱點問題之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子技術(shù)設(shè)備（如移動網(wǎng)絡(luò)電話，數(shù)字經(jīng)濟相機等）尤為具有重要。使開關(guān)電源小型化的具體管理辦法有：

首先，高頻率。為了實現(xiàn)高的功率密度的功率時，PWM變換器的工作頻率必須提高，從而降低了在電路中的能量存儲元件的體積的重量。

　　二是企業(yè)應(yīng)用具有壓電變壓器。應(yīng)用壓電變壓器可使高頻信號功率變換器可以實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器主要利用壓電陶瓷復(fù)合材料以及特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路設(shè)計如同我們一個串并聯(lián)諧振電路，是功率變換不同領(lǐng)域的研究社會熱點問題之一。

三，新電容器的使用。