開(kāi)關(guān)控制電源進(jìn)進(jìn)高效率變換不同時(shí)代

的電子設(shè)備的小型化持續(xù)特定的計(jì)算機(jī)，緊湊的尺寸從而將開(kāi)始與塊狀頻率變壓器替換的開(kāi)關(guān)電源，其特征在于由線性電源，而功率效率提高顯著的供電需求。24V開(kāi)關(guān)電源是高頻逆變開(kāi)關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開(kāi)關(guān)電源 24V開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。12V開(kāi)關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開(kāi)關(guān)管等部位，抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開(kāi)關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。開(kāi)關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。降低電源裝置的體積惡化冷卻能力，這需要消耗功率變小，即，在恒定的輸出功率的條件下，效率必須改進(jìn)。高效的能量轉(zhuǎn)換：相同體積的開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)目標(biāo)功率消耗的電力是大致相同的，因此，希望獲得更高的輸出功率，必須提高效率，同時(shí)具有高功率效率可以有效地降低功率半導(dǎo)體裝置的應(yīng)力，有助于提高其可靠性。

　　開(kāi)關(guān)控制電源的損耗主要為：無(wú)源元件損耗和有源元件損耗　　開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題一直處于困惑著開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者，由于不同功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)過(guò)程中，器件上同時(shí)企業(yè)存在一個(gè)電流、電壓，因而我們不可為了避免地存在一些開(kāi)關(guān)損耗，假如開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)管和輸出整流二極管能實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)或零電流開(kāi)關(guān)，則其效率分析可以得到明顯發(fā)展進(jìn)步。

開(kāi)關(guān)過(guò)程造成的開(kāi)關(guān)損耗約占總輸入功率的5%~10。 通過(guò)大大減少或消除這種損耗，開(kāi)關(guān)電源的效率可以提高5%~10。 最有效的方法是軟開(kāi)關(guān)技術(shù)或零電壓開(kāi)關(guān)或零電流開(kāi)關(guān)技術(shù)。

在眾多的軟開(kāi)關(guān)方案中，實(shí)際的大功率全橋變換器通常采用移相零電壓開(kāi)關(guān)控制，這種控制方法要求在下端設(shè)置連續(xù)電流電感，以保證開(kāi)關(guān)在零電壓下通電。 這個(gè)額外的電感會(huì)產(chǎn)生熱量，雖然它比 rc 緩沖電路小得多，因?yàn)橛行е惦娏骱艽?，所以它不用于低壓變流技術(shù)。

無(wú)源無(wú)損耗緩沖電路的特征在于，不破壞現(xiàn)有的PWM控制中，設(shè)計(jì)/調(diào)試簡(jiǎn)單。然而，無(wú)源無(wú)損緩沖電路準(zhǔn)諧振和操作/零電壓開(kāi)關(guān)方式，也有一些缺點(diǎn)，如僅實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)關(guān)斷，以及一個(gè)回掃轉(zhuǎn)換器不太適用于在負(fù)載范圍內(nèi)大的變化。軟開(kāi)關(guān)有源鉗位方法是同樣有效進(jìn)展單管/反激轉(zhuǎn)換器效率，從而限制了原始專利現(xiàn)在已過(guò)期，可普遍適用。

　　功率控制半導(dǎo)體電子器件的進(jìn)步：高效率進(jìn)行功率可以變換的根本　　功率以及半導(dǎo)體材料器件的進(jìn)步發(fā)展特別是Power MOSFET的進(jìn)步從而引發(fā)出不同功率不斷變換的一系列的進(jìn)步：Power MOSFET的極快的開(kāi)關(guān)工作速度，使開(kāi)關(guān)系統(tǒng)電源的開(kāi)關(guān)使用頻率從雙極晶體管的20kHz進(jìn)步到100kHz以上，有效地通過(guò)減小實(shí)現(xiàn)了無(wú)源儲(chǔ)能元件(電感、電容)的體積。低壓Power MOSFET使低壓環(huán)境同步學(xué)習(xí)整流技術(shù)成為社會(huì)現(xiàn)實(shí)，器件的導(dǎo)通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到一個(gè)同步增加整流器的0.1V甚至具有更低，使低壓整流器的效率提高至少需要進(jìn)步了 10%。高壓Power MOSFET的導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)功能特性的改善，進(jìn)步了開(kāi)關(guān)設(shè)備電源的低級(jí)管理效率。