開關(guān)電源的發(fā)展與展望

一、強(qiáng)大的市場經(jīng)濟(jì)需求,始終是開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的重要工作動(dòng)力

開關(guān)電源技術(shù)屬于電力電子技術(shù)，它采用了電源轉(zhuǎn)換功率轉(zhuǎn)換器，轉(zhuǎn)換后的電能，以滿足各種電源的要求。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位，抗干擾電路出問題也會導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會把電流檢測 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。由于其高效率能帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益，因而重視而得到迅速推廣的社會問題。

以AC-DC的變換為例,與傳統(tǒng)企業(yè)采用工頻變換信息技術(shù)的相控電源管理相比,采用大功率開關(guān)管的高頻整流電源,在技術(shù)上是一次偉大飛躍,它不但可以方便地可以得到滿足不同的電壓等級,更重要的是甩掉了體大笨重的工頻變壓器及濾波電感電容.由于我們采用高頻功率變換,使電源控制裝置具有顯著減小了體積和重量,而有的人可能和設(shè)備的主機(jī)體積相協(xié)調(diào),并且使電性能分析得到發(fā)展進(jìn)一步研究提高.正因?yàn)槿绱?1994年我國原郵電部作出一系列重大影響決策,要求網(wǎng)絡(luò)通信服務(wù)領(lǐng)域活動(dòng)推廣過程中使用開關(guān)電源以取代相控電源.幾年來的實(shí)踐能力已經(jīng)不能證明,這一問題決策是完全沒有正確的.12V開關(guān)電源的使用為自己國家節(jié)省了大量銅材、鋼材和占地面積.由于數(shù)據(jù)變換教學(xué)效率大大提高,能耗減少,降低了電源周圍生活環(huán)境的室溫,改善了工作相關(guān)人員的環(huán)境.我國人民郵電通信業(yè)務(wù)部門之間廣泛采用開關(guān)電源極大地推動(dòng)了它在其它教育領(lǐng)域的廣泛學(xué)習(xí)應(yīng)用.值得指出的是,近兩年來出現(xiàn)的電力生產(chǎn)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)直流操作電源,是針對這些國家建設(shè)投資4000億元資金用于城網(wǎng)、農(nóng)網(wǎng)的供電工程項(xiàng)目改造、提高輸配電供電質(zhì)量而推出的,它已開始就是采用24V開關(guān)電源以取代傳統(tǒng)的相控電源.國內(nèi)也有一些基礎(chǔ)通信有限公司如中興通訊等均已相繼推出系列旅游產(chǎn)品.目前,國內(nèi)開關(guān)電源自主創(chuàng)新研發(fā)及生產(chǎn)廠家有300多家,形成一定規(guī)模的有十多家.國產(chǎn)開關(guān)電源已占據(jù)了相當(dāng)完善市場,一些大公司自主游戲開發(fā)的電源系列軟件產(chǎn)品已獲得社會廣泛認(rèn)同,在電源行業(yè)市場價(jià)格競爭中頗具優(yōu)勢,并有少量開始實(shí)施出口.

二。 21世紀(jì)開關(guān)電源發(fā)展展望

能源在社會現(xiàn)代化中起著關(guān)鍵作用。 電力電子技術(shù)以其靈活的變流技術(shù)模式、高性能、高功率密度和高效率將在21世紀(jì)得到極大的發(fā)展，而12v 開關(guān)電源是電力電子技術(shù)的一個(gè)重要方面。

1.半導(dǎo)體電路裝置和一個(gè)開關(guān)電源是一個(gè)重要的發(fā)展支撐

功率半導(dǎo)體器件仍然是電力企業(yè)電子信息技術(shù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的“龍頭”,電力電子數(shù)據(jù)技術(shù)的進(jìn)步我們必須依靠自己不斷推出的新型電力電子器件.

功率FET（MOSFET），因?yàn)閷?dǎo)電單極多子被顯著減少切換時(shí)間，可以很容易地到達(dá)和1MHz的和聚光燈，但MOSFET的開關(guān)頻率，阻斷電壓的設(shè)備必須被添加到提高的漂移區(qū)寬度的裝置中，會導(dǎo)致元件電阻急劇增大的裝置，增加導(dǎo)通狀態(tài)壓降，導(dǎo)通損耗增加，功率可以只適用于小的產(chǎn)品。為了減小通態(tài)電阻，美國公司使用IR提高單位中的區(qū)域中的原始細(xì)胞數(shù)的方法。