開(kāi)關(guān)控制電源輻射EMI的抑制技術(shù)措施

開(kāi)關(guān)電源是一種強(qiáng)干擾源，它來(lái)自開(kāi)關(guān)器件的高頻通斷和輸出整流二極管的反向恢復(fù)。開(kāi)關(guān)電源廠(chǎng)家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。24V開(kāi)關(guān)電源是高頻逆變開(kāi)關(guān)電源中的一個(gè)種類(lèi)。什么是24V開(kāi)關(guān)電源 24V開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。12V開(kāi)關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開(kāi)關(guān)管等部位，抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開(kāi)關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。 強(qiáng)電磁干擾信號(hào)通過(guò)空間輻射和電力線(xiàn)路傳輸干擾相鄰敏感器件。 除電源開(kāi)關(guān)管和高頻整流二極管外，輻射干擾的主要成分是脈沖變壓器和濾波電感。

電源開(kāi)關(guān)管的快速通斷雖然給開(kāi)關(guān)電源帶來(lái)了較高的效益，但也帶來(lái)了較強(qiáng)的高頻輻射。 為了減小輻射干擾，可以采用電壓緩沖電路，如在開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián) rcd 緩沖電路，或者采用電流緩沖電路，如在開(kāi)關(guān)管集電極上安裝20ー80h 串聯(lián)電感。 該電感可以避免開(kāi)關(guān)管接通時(shí)集電極電流的突然增加，也可以減小整流電路中沖擊電流的影響。

電源開(kāi)關(guān)的集電極是一個(gè)強(qiáng)干擾源，散熱器應(yīng)該切換到開(kāi)關(guān)的發(fā)射極，以確保收集器和熱沉之間的電流由于分布電容產(chǎn)生流入主回路。為了降低散熱片和箱體的分布電容應(yīng)盡量遠(yuǎn)離散熱殼體，如果條件是這樣，也可以采用一個(gè)開(kāi)關(guān)屏蔽鰭。

整流二極管應(yīng)采用中國(guó)恢復(fù)以及電荷小，且反向進(jìn)行恢復(fù)發(fā)展時(shí)間短的，如肖特基管，最好是選用一個(gè)反向關(guān)系恢復(fù)呈軟特性的。另外在肖特基管兩端套磁珠和并聯(lián)RC吸收利用網(wǎng)絡(luò)信息均可有效減少環(huán)境干擾，電阻、電容的取值可為幾Ω和數(shù)千pF，電容引線(xiàn)應(yīng)盡我們可能短，以減少引線(xiàn)電感。實(shí)際需要使用中一般可以采用一種具有軟恢復(fù)工作特性的整流二極管，并在二極管兩端并接小電容來(lái)消除系統(tǒng)電路的寄生振蕩。

負(fù)載工作電流密度越大，續(xù)流結(jié)束時(shí)流經(jīng)整流二極管的電流也越大，二極管進(jìn)行反向關(guān)系恢復(fù)的時(shí)間也越長(zhǎng)，則尖峰電壓電流的影響也越大。采用具有多個(gè)整流二極管并聯(lián)來(lái)分擔(dān)負(fù)載產(chǎn)生電流，可以有效降低發(fā)生短路尖峰電流的影響。

開(kāi)關(guān)控制電源管理必須進(jìn)行屏蔽，采用不同模塊式全密封結(jié)構(gòu)，建議用1mm以上設(shè)計(jì)厚度的鍍鋅鋼板，屏蔽層必須具有良好工作接地。在高頻信號(hào)脈沖變壓器初、次級(jí)產(chǎn)品之間加一屏蔽層并接地，可以有效抑制作用干擾的電場(chǎng)耦合。將高頻脈沖變壓器、輸出數(shù)據(jù)濾波電感等磁性元件加上一個(gè)屏蔽罩，可以將磁力線(xiàn)限制在磁阻小的屏蔽體內(nèi)。